开源EG1164原理图与PCB第一部分，地表最强BOOST升压芯片 屹晶微电子EG1164 EG1162 EG1163 EG1163S 2023年电赛必备

标题: 开源EG1164原理图与PCB第一部分，地表最强BOOST升压芯片 屹晶微电子EG1164 EG1162 EG1163 EG1163S 2023年电赛必备

作者: 唐老师讲电赛

描述: 开源EG1164原理图与PCB 地表最强BOOST升压芯片 屹晶微电子EG1164 EG1162 EG1163 EG1163S 2023年电赛必备 硬件工程师 电源工程师必备 完美替代德州仪器LM5112 LM25112  芯片特点 •升压同步整流方案，支持高压大电流方案 •外接一个电容可设置工作频率（0-300KHz） •2脚EN外部电阻可灵活调整启动、关闭电压 •UVLO欠压锁定功能： •Vcc引脚端的开启电压3.65V •Vcc引脚端的关闭电压3.6V •逐周限流控制 •封装形式：SOP16 • 芯片描述 EG1164是一款高压大电流升压型同步整流DC-DC电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、逐周限流控制、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输出。 芯片电源，电压范围 4V-20V。 VI≤16V  VI直接接到EG1164的VCC 16V＜VI≤35*0.8=28V， 30V 78L12 78L15 30V＜VI ＜100V,乞丐版LDO MMBT5551   EG1162降压同步整流DCDC电源芯片数据手册V1.1 EG1163S降压同步整流DCDC电源芯片数据手册V1.1 EG1164升压同步整流DCDC电源芯片数据手册V1.0 EG1165S集成600V2A半桥驱动PWM控制芯片数据手册V1.2 EG1166_集成600V半桥双管正激电源芯片数据手册V1.2 一、电池电压3串（12.6V）4串(16.8V)5串(21V)升压到400V直流 EG3525(SG3525 KA3525) EG7500(TL494 KA7500) TL594 TL598 EG1611 二、将400V直流逆变为220V交流。 1、EG8010+EG2113   2、EG8011+EG2126 3、EG8025    高升压比：boost升压电路中占空比D=（Vo-Vi）/Vo，Vo是输出电压，Vi是输入电压。从公式上看，把10V电压升到10000V或任意倍数的电压。在工程上，占空比一般不超过0.9，所以工程的极限在10倍左右。       升压比高于10，占空比大于0.9，现有的BOOST芯片，在连续电流模式下，控制环路会出现一个 右半平面零点(Right Half Plane Zero)，它会增加幅度增益却减少了相位余量。占空比越大，右半 平面零点的频率点越低。当占空比达到 95.3%以上的时候，右半平面零点频率已经很低，如果进 入环路带宽内，将造成环路不稳定。发生这种情况时，输出电压无论如何也升不到目标值。只有 进一步减小带宽来解决这个问题，但这样会造成动态响应变差。      空载和小电流可以稳住，电流稍微大一点点就稳不住，掉电压。

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